Founded in 1974 by Robert W. Clapp in Burlington, Massachusetts, Heilind Electronics is one of the leading distributors of interconnects,…
Featuring longer lifetimes, better durability, and higher efficiency and brightness, micro-LEDs are seen to be the next generation in display…
In the ever-evolving landscape of semiconductor manufacturing, precision motion systems have been a cornerstone of innovation and progress. As the…
IAR Systems is a leading provider of embedded systems development tools and security solutions. Founded in 1983, the Sweden-based company…
ASUKA Autotronics Inc. is one of the leading providers of in-car infotainment systems and smart sensor solutions provider to automotive,…
任何半導體製程都可以分為五個主要階段:晶體生長、切片和研磨、拋光、磊晶(epi)與元件製造。第三個步驟,即一般所謂的 「拋光」,正是基板生產的最後階段。這個步驟對於原子級平滑基板的表面特別重要,可以使其獲得高度的平面性,這對於晶圓的後續處理至關重要。 儘管化學機械拋光(CMP)有一段時期一直是最常用的基板拋光技術,但隨著一種新引進的技術——電漿拋光乾式蝕刻(PPDE),成為牛津儀器公司(Oxford Instruments Plc.)旗下業務單位Oxford Instruments Plasma Technology提出的有效替代方案,可望克服CMP帶來的一些限制。 在日前於瑞士達沃斯(Davos, Switzerland)舉行的國際碳化矽及相關材料會議(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials,ICSCRM)上,Oxford Instruments推出這種用於碳化矽(SiC)基板的新型電漿拋光技術。電漿拋光可作為傳統CMP技術的直接替代方式,主要用於巧妙地填補CMP目前的需求不足。 電漿拋光乾式蝕刻 本文主要介紹Oxford…
爾定律(Moore’s Law)半導體製程上的影響力已經式微,先進封裝技術拿起了接力棒。扇出型晶圓級封裝(FOWLP)等先進技術可以提高元件密度、性能,並突破晶片I/O數量的限制。然而要成功利用這類技術,在晶片設計之初就要將封裝納入考量。 過去數十年來,半導體製程已經將晶片中電晶體線寬從數十微米(micron)逐步縮小到幾奈米(nanometer)等級,IC內部電晶體密度大約每18個月就會增加一倍,這就是著名的摩爾定律。但在此同時,設計和製造成本不斷上升、臨界餘裕度逐漸縮小,再加上其他許多挑戰,都阻礙半導體技術進一步的發展。此外,隨著單晶片內電晶體密度不斷提高,也為晶片連結帶來一些問題,例如I/O接腳數量以及晶片間互連速度都遭遇限制。 這些限制在需要大量高頻寬記憶體的應用——如邊緣人工智慧(AI)和雲端系統——中尤其是問題,為了解決這些問題並繼續提高元件密度,產業界已經開發出幾種先進的封裝技術,可讓多顆晶片整合在小巧、高性能的封裝中,功能運作就像是單個零件。 Youtube video 過去數十年來,半導體製程已經將晶片中電晶體線寬從數十微米(micron)逐步縮小到幾奈米(nanometer)等級,IC內部電晶體密度大約每18個月就會增加一倍,這就是著名的摩爾定律。但在此同時,設計和製造成本不斷上升、臨界餘裕度逐漸縮小,再加上其他許多挑戰,都阻礙半導體技術進一步的發展。此外,隨著單晶片內電晶體密度不斷提高,也為晶片連結帶來一些問題,例如I/O接腳數量以及晶片間互連速度都遭遇限制。 voice 過去數十年來,半導體製程已經將晶片中電晶體線寬從數十微米(micron)逐步縮小到幾奈米(nanometer)等級,IC內部電晶體密度大約每18個月就會增加一倍,這就是著名的摩爾定律。但在此同時,設計和製造成本不斷上升、臨界餘裕度逐漸縮小,再加上其他許多挑戰,都阻礙半導體技術進一步的發展。此外,隨著單晶片內電晶體密度不斷提高,也為晶片連結帶來一些問題,例如I/O接腳數量以及晶片間互連速度都遭遇限制。 The Arm Podcast · New Reality Series, Episode…
1台灣積體電路製造股份有限公司於今(16)日「國際臭氧層保護日」承諾於2050年達到淨零排放目標,並為全球半導體產業先驅,發布氣候相關財務揭露(Task Force on Climate-related Financial Disclosures, TCFD)報告書,以實際行動落實環境永續目標。 身為負責任的企業公民,台積公司致力於因應氣候變遷、減緩氣候衝擊,以保護我們共享的全球環境。台積公司以「ESG政策」與「環境保護政策」為指引,積極規畫與執行減緩氣候變遷的相關作為,密切關注全球各項氣候行動指標並進一步規畫淨零排放目標。 2018年,台積公司發布《台積公司氣候變遷宣言》,明訂因應氣候變遷的二大主軸為減緩衝擊與調適風險,同時積極導入金融穩定委員會(Financial Stability Board, FSB)定義的氣候相關財務揭露建議書架構,以鑑別氣候風險、機會與因應措施,並建立衡量指標與目標管理。透過有效掌握行動方案的進度與成果,降低氣候風險對營運造成的財務影響,並揭露於台積公司企業社會責任報告書。 2021年,為進一步回應利害關係人對氣候變遷議題的關注並聚焦闡述相關議題,台積公司依據TCFD架構與核心精神發布TCFD報告書,系統性的揭露管理策略和目標、確立執行控管,同時完整說明台積公司因應氣候變遷的努力與進程。 台積公司董事長暨ESG指導委員會主席劉德音博士表示:「台積公司深知氣候變遷對環境和人類造成的衝擊甚鉅,身為全球領先的半導體公司,面對氣候挑戰,台積公司必須負起應有的企業責任。台積公司除了是全球首家加入RE100的半導體企業,今年,我們亦主動響應淨零排放行動,並發布氣候相關財務揭露(TCFD)報告書,希望擴大綠色影響力,帶動產業邁向低碳永續。」 台積公司於2020年成立淨零排放專案,由相關單位組成工作小組,針對淨零目標進行規畫與討論,同年全球辦公室達溫室氣體淨零排放。面對2050年淨零排放目標,台積公司將擬定相關減緩措施、持續強化各項綠色創新作為,並積極採用再生能源,設定短期目標為2025年達排放零成長,並於2030年回到2020年排放量。台積公司將積極投入,持續尋求各種排碳減量的機會。 台積公司氣候相關財務揭露(TCFD)報告書網址參考:https://esg.tsmc.com/download/csr/TSMC_TCFD_Report_C.pdf
Most semiconductor enterprises in China are focusing on their survival and profit. It's impractical to force them to keep following…
Bibhrajit Halder's pursuit of AV got him jobs at practically every notable firm on the AV hit parade. So, where…